Светлая мысль разместить больше памяти рядом с процессором пришла не в одну голову. Год назад о разработке концепции замены памяти HBM (DRAM) памятью HBF (флеш) сообщила компания SanDisk. На днях рабо
ту о таком подходе опубликовала компания SK Hynix. Флеш-память NAND попросту плотнее памяти DRAM, и с позиции увеличения места под токены для ИИ замена одной на другую даст впечатляющий результат в ви ...
Автор: 3DNews
Источник: https://3dnews.ru/1137004