Samsung изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM для ИИ-ускорителей будущего

09.04.2024 в 13:57,
Hard news

Компания Samsung объявила, что изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM — такие будут применяться с переходом на память HBM4. Предсерийные образцы этих стеков появятся в 2025 году, а масс

овое производство стартует в 2026 году. Источник изображения: samsung.com ...

Автор: 3DNews
Источник: https://3dnews.ru/1102979
×